三星半导体未来四年投资190亿美元,中国存储首当其冲?

日期:2018-01-05 作者:润欣科技 返回列表

导语:据外媒报道,三星看好半导体景气持续往上走,周二宣布未来四年将砸下逾20兆韩元,或相当于190亿美元投资旗下半导体事业。


三星两年前耗资15.6兆韩元在南韩平泽市打造新记忆体厂,新厂当日才刚正式投产,三星已计划2021年内再额外投入14.4兆韩元(125亿美元)扩厂。(美联社)


三星还计划投资位于华城的记忆体园区6兆韩元。与此同时,三星也考虑增加中国西安半导体厂的产能。IHS Markit数据显示,2017年全球DRAM产值跳增72%、来到722亿美元,2018年预估将进一步扩增至844亿美元,年增率达16.9%。(Koreaherald.com) NAND 快闪记忆体去年成长46.2%、成为538亿美元,今年预估扩增至592亿美元。产业资讯显示,3D NAND快闪记忆体占三星快闪记忆体出货比重,去年第四季已超过八成,今年底预估将超越九成。


根据SEMI资料显示,2017年韩国整体投资金额激增主要是因为三星支出大幅成长,其成长幅度可望达到128%,从80亿美元增至180亿美元。但这些投资主要花在韩国境内。


存储快速扩产,中国首当其冲


从上文我们可以看到,三星正在快速扩大其存储产品产能。这一方面可以缓解当前存储短缺和价格频频上涨的现状;另一方面三星可以通过这样的快速扩产,将价格下探,用量来抢占市场,提高他们存储产品在市场上的占有率。这是三星过往做过的事情,或许在这里会再度故伎重演;第三,三星的存储扩产,会对中国的存储发展,造成不利的市场影响。


近两年,国内正在大力发展存储产业,进展最快的是紫光集团旗下的长江存储,最近已经拿出了不错的成果。


在去年12月,紫光董事长赵伟国指出,长江存储已经成功研发出32层64G 3D NAND芯片,并计划在今年量产。但新发产品肯定会面临价格成本不高,良率相对低的风险,这对于供应商或者终端厂商来说,是一个很难接受的事情。


在三星快速扩充差能之后,加上东芝、美光和SK海力士都在扩产能,自必然会将现在的存储价格拉低,对于刚萌芽的中国存储产业来说,刚出生就面临巨大的生存大挑战。


晶圆厂野心不小,但台积电地位难撼动


晶圆厂相信是三星重点投资的另一个领域。三星半导体的相关负责人在早前也表示,展望在晶圆代工方面在今年可以超越第二,未来的目标是和市占超过50%的晶圆代工巨头台积电掰手腕。因此他们也投入了庞大的资金到晶圆厂业务里面。


据去年11月消息,三星电子正与美国与中国新客户进行接洽,计划为它们进行7纳米晶圆代工,离签约之路不远。三星并与韩国华城市取得共识,欲建立新的7纳米代工厂,预计行政程序将在12月初完成。媒体表示,台积电在7纳米制程上,尚处领先优势,但仍须注意三星的反击。


据了解,三星美国新客户已同意测试新的芯片,并且在做准备中,而中国的新客户则是以生产手机系统芯片(System on Chip)为主的厂商,目前正在进行内部讨论,有很高的机会将把7纳米晶圆代工交给三星,而不是台积电。


三星电子在7 纳米晶圆代工事业体上,稍微落后给台积电,但三星强调,它们的7 纳米制程,将是使用极紫外线(EUV) 光刻科技,为代工领域领先的技术,在面积,性能与用电量都有优势。


透过目前EUV 7 纳米晶圆厂的17 条生产线,三星预计每个月可生产4 万到5 万片晶圆,在新增了中国与美国客户,与从台积电手中抢回一些客户后,估计需求量会增加,因此三星计划从ASML 购入9 台新的EUV 设备。


根据三星的计划,公司将在2020年推出4纳米制造工艺,显然是瞄准台积电5纳米工艺而来。在2018年至2020年间,三星将持续推进半导体制造工艺,今年计划量产7纳米,而2019年将陆续投入6纳米和5纳米研发。


不过台积电在产品的宽度、广度上面的领先,是三星难以企及的。


业内人士称,台积电5纳米制造工艺将是7纳米工艺的延续,应用领域同样锁定移动通讯、高性能计算、人工智能和机器学习等,预计2019年上半进入试运行。


知情人士称,由于台积电凭借7纳米制造工艺赢得了苹果和高通的订单,三星的代工策略也相应地发生转变。过去,三星专注于高端芯片代工,而如今则广泛接触各应用领域的潜在客户,以提高市场份额。


未来也许三星会投入更多到其猎户座芯片上的研发,在昨日,他们刚发布了Exynos 9810芯片,受到了媒体的一致热捧。


但是考虑到三星和高通玄妙的关系,这方面业务的推广和平衡,在未来几年会对三星造成巨大的困扰。


新闻来源:半导体行业观察


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